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极速赛车官网|DRAM销售额将历史性地突破1000亿美元,三星也将坐稳半导体龙头宝座?


本文摘要:(公共编号:)在持续缺货和价格上涨的背景下,最近半导体市场研究机构ICInsights发表的最近报告预测,2018年世界DRAM芯片产业增长率达到30%,总产值突破1000亿美元大关,以24%的市场份额居IC产品市场规模第一。

(公共编号:)在持续缺货和价格上涨的背景下,最近半导体市场研究机构ICInsights发表的最近报告预测,2018年世界DRAM芯片产业增长率达到30%,总产值突破1000亿美元大关,以24%的市场份额居IC产品市场规模第一。作为DRAM市场占有率最低的三星,去年英特尔跪下半导体领导座的三星能维持霸主地位吗?IC产业单一领域的产值首次突破1000亿美元,根据IC株Insights(亚利桑那州斯科茨代尔)的数据,今年的DRAM销售额预计将急速增加39%,超过1016亿美元。与此同时,IBS预计今年DRAM市场将迅速增长32.6%,更普遍的半导体市场将迅速增长12.5%。

DRAM市场销售额急速增加,资料来源:IBSIC、Insights预计DRAM将占2018年芯片销售额的24%,预计今年销售额第二的NAND存储器将超过628亿美元。ICInsights预计DRAM和NAND将占今年4280亿美元芯片市场的38%。

DRAM成为IC芯片的销售仅次于来源,来源:ICTInsights当然,无论是DRAM还是NAND的快速增长,韩国制造商都受益最多,其中仅次于的胜利者是市场份额最低的三星电子,DRAM和NAND的市场份额分别为45%、37%DRAM市场份额Source:IBS获利丰富的三星自1992年以来,英特尔仍然是世界上仅次于的半导体制造商,但由于芯片业务的推进,2017年第四季度,三星以芯片业务690亿美元的销售额压倒英特尔630亿美元的销售额,26年来首次成为世界上仅次的芯片。ICInsights5月发布的统计数据显示,2018年第一季度三星芯片销售额为186亿美元,第二位英特尔为158亿美元。从成长率来看,三星的成长率高达43%,而英特尔的成长率只有11%。

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另外,三星零部件的销售额在今年上半年已经达到了手机部门。数据显示,上半年三星电子设备解决方案(DS)部门(也称部件事业部)销售额为56.05兆韩元(约3400亿元),占三星整体销售额的47.1%,生产智能手机的IT&移动通信销售占44.1%,生产电视和其他家电产品的CE部门销售占16.9%。从营业利润来看,主要生产半导体和显示屏产品的DS部门的快速增长更加显着,2013年DS部门的营业利润占公司整体营业利润的38.8%,2014年为25.5%,2015年和2016年为27.2%和37.7%,去年为56.4%,今年上半年为76.9%。相比之下,IT&移动通信事业部的营业利润从2013年到2016年占公司总营业利润的一半以上,特别是2015年超过67.8%,去年大幅下降到38.4%,今年上半年只有21.1%。

三星能跪在大位半导体领导的宝座上吗?因此,三星能否在半导体领导座上跪下,存储芯片是关键。我们从替代技术和市场两个方面寻找答案。内基梅隆大学的研究者KevinChang说:过去20年来,基于DRAM的计算机内存的读取比特率已经提高了20倍,容量急速增加了128倍,但延期后只提高了1.3倍。

现在的计算机需要大量高速、高容量的存储器来确保持续运行,特别是存储器数据库、数据密集型分析以及更多的机械学习和深度神经网络训练功能的数据中心服务器。研究人员已经寻找更好、更慢的替代技术,但在性能优先的任务中,DRAM仍然是人们广泛使用的自由选择,有助于说明2017年DRAM的销售额急剧增加。

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另外,DRAM被指出是成熟期的技术,虽然很慢,但电力市场的需求很大,现在和将来代替DRAM的技术很多,例如3D阶段XPoint、MRAM、ReRAM等,专家们可能指出这些技术没有取代DRAM的性价比优势。DRAM还有技术规划的改良方案和HBM2和HybridMemoryCube等新型DRAM结构,必须考虑DRAM和CPU之间的速度差距。在市场需求方面,过去两年由于市场需求的快速增长,厂家的产能提高受到限制。专门从事DRAM和NAND研究的DRAMeXchange报道称,由于三星、SK海力士和美光等各大厂商的产能投资需要时间,今年内存产能仅迅速增长19.6%,创历史新高。

DRAMeXchange的数据同时预测,2018年DRAM芯片市场的需求将急速增加30%以上。由于生产厂家专注于满足智能手机和数据中心的市场需求,今年DRAM市场供应后续将受到限制。因此,从替代技术和市场需求来看,DRAM的快速增长动力没有减弱的迹象,三星也在大力推出新产品。

上个月,三星电子宣布批量生产8Gb,LPDDR5粒子,速度平均为6400Mbps,比现有LPDDR4-4266存储器慢50%,同时功耗减少30%。但是,必须认为三星在宣传中应对8Gb,LODDR5使用10nm水平的技术,但是10nm水平不是10nm技术,而是融合以前发表的产品应该是18nm技术。

那么,你真的知道三星能跪在大位半导体领袖的宝座上吗?有关文章:三星再次录制:3年内马利亚220亿美元配置AI、5G等领域长江存储发售3DCNAND架构Xtacking,I/O模块速度达到3Gbps原始文章,允许禁止发布。下一篇文章发表了注意事项。


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